ISL9K1560G3 — STEALTH? Dual Diode
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics
(per leg) TC
= 25
°C unless otherwise noted
Off State Characteristics
On State Characteristics
Dynamic Characteristics
Switching Characteristics
Thermal Characteristics
Device Marking
Device
Package
Tape Width
Quantity
K1560G3
ISL9K1560G3
TO-247-3L
N/A
30
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min Typ Max
Unit
IR
Instantaneous Reverse Current
VR
= 600
V
TC
= 25
°C - - 100
μA
TC
= 125
°C--1.0mA
VF
Instantaneous Forward Voltage
IF = 15
A
TC
= 25
°C-1.82.2V
TC
= 125
°C - 1.65 2.0 V
CJ
Junction Capacitance
VR = 10
V,
I
F
= 0
A
- 62 - pF
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 1
A,
dI
/dt
=
100
A/μR
= 30
V
- 25 30 ns
s,
V
IF
= 15
A,
dI
/dt
=
100
A/μR
= 30
V
- 35 40 ns
s,
V
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 15
A,
- 29.4 - ns
dIF/dt
= 200
A/μ- 3.5 - A
s,
VR
= 390
V,
T
C
= 25°C
- 57 - nC
Reverse Recovery
C
urrent
Reverse Recovered Charge
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 15
A,
-90-ns
)-dIF/dt
= 200
A/μ2.0-s,
C
urrent
VR
= 390
V,
Reverse Recovered Charge
TC
= 125
°C
- 5.0 - A
- 275 - nC
S Softness Factor (tb/ta
Reverse Recovery
trr
Reverse Recovery Time
IF
= 15
A,
-52-ns
dIF/dt
= 800
A/μ- 1.36 -
s,
VR
= 390
V,
TC
= 125
°C
- 13.5 - A
- 390 - nC
S Softness Factor (tb/ta)
Reverse Recovery
C
urrent
Reverse Recovered Charge
dIM/dt Maximum di/dt during tb
- 800 - A/μs
RθJC
Thermal Resistance Junction to Case
- - 1.0
°C/W
RθJA
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-247
- - 30
°C/W
www.fairchildsemi.com
2
Irr
Qrr
Qrr
Irr
Qrr
Irr
Packing Methode
Tube
?2001
Fairchild
Semiconductor Corporatio
n
ISL9K1560G3
Rev.
C1
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